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SKhynix代理商,SK海力士半导体中国总代理,Hynix存储芯片授权代理商
SKhynix代理商作为SK海力士半导体中国总代理,为推广Hynix存储芯片授权代理商DRAM、NAND Flash、MCP,图像传感器等产品方面做出了卓越贡献。
SK海力士将通过全球科技领域的领导地位为客户、合作伙伴、投资者、社区、成员等利益相关者创造更大价值。SK海力士将致力于与全球合作伙伴推进突破现有格局的超级合作，成为引领全球ICT生态的解决方案提供商。
SKHYNIX海力士半导体LOGO
SK海力士将致力于成为全球科技的领先企业，为人类与社会的发展做出贡献。
企业名称SK海力士代表董事Kwak Noh-Jung半导体业务开始日期1983年2月业种半导体元件制造和销售总部地址韩国京畿道利川市夫钵邑京忠大路2091产品及服务
存储器半导体
DRAM、NAND Flash、MCP（Multi-Chip Package）等
系统半导体
CIS（CMOS Image Sensor）等
SK海力士半导体（中国）有限公司SK海力士半导体（中国）有限公司是由韩国SK海力士株式会社于2005年4月投资设立的半导体制造工厂，主要生产12英寸半导体集成电路芯片。公司在无锡进行了多次增资技术升级，累计投资额约200亿美元，已成为江苏省单体投资规模最大、技术水平最高、发展速度最快的外资企业。
SK海力士半导体（中国）有限公司一直致力于打造世界第一的半导体生产基地，与此同时，认真履行企业的社会责任，力求创造社会价值，与地区实现携手发展。SK海力士正在努力打造“芯的飞跃，芯的未来”，必将迈着稳健的步伐，前进在成长繁荣的路上。
SK海力士（SK hynix）是一家全球领先的半导体供应商，其发展历程和主要产品如下：
公司简介
SK海力士的前身为1983年成立的现代电子产业株式会社。经过多年的发展和变革，1996年正式在韩国上市，1999年收购LG半导体，2001年从现代集团分离出来，更名为(株)海力士半导体。2012年，公司被SK集团收购，并正式更名为SK海力士株式会社4。
SKhynix代理商主要产品
SK海力士致力于生产以DRAM、NAND Flash及CIS非存储器为主的半导体产品。公司的产品线涵盖了多种半导体存储解决方案，包括但不限于：
DRAM：动态随机存取存储器，广泛应用于计算机、服务器、移动设备等领域。
NAND Flash：一种非易失性存储器，常用于固态硬盘(SSD)、移动设备和各种存储卡。
CIS：CMOS图像传感器，用于摄像头模块，广泛应用于智能手机、数码相机等领域。
HBM：高带宽存储器，专为高性能计算和图形处理设计，如人工智能、大数据处理等46。
发展历程
SK海力士的发展历程中有许多重要的里程碑事件：
1980s：1983年，现代电子产业株式会社成立。
1990s：1996年在韩国上市，1999年收购LG半导体。
2000s：2001年更名为海力士半导体股份公司，脱离现代集团；2004年成功研发NAND Flash产品。
2010s：2012年SK集团收购海力士，公司名称正式变更为SK海力士株式会社；2013年建立16nm NAND Flash量产体系；2014年重庆后工序生产公司成立；2015年韩国利川M14竣工。
2020s：2021年10月成功开发出HBM3，并在2022年6月开始量产6；2022年9月，SK海力士在业界率先开发出最新高带宽存储器产品HBM3，进一步巩固了其在DRAM市场上的领先地位6。
此外，SK海力士在2021年完成了对英特尔NAND闪存及SSD业务案的第一阶段收购，这标志着公司在全球半导体市场的地位进一步增强5。
SK海力士不仅在产品技术上不断创新，还在全球范围内设立了多个生产基地和研发中心，包括在韩国利川和清州、中国无锡和重庆等地，并在全球16个国家和地区设立了销售、研发等基地4。通过持续的研发与投资，SK海力士增强了技术与成本竞争力，引领全球半导体市场的发展。
SKhynix代理商主要产品：
DRAM
SK海力士通过持续的技术研发拥有行业领先的微细化工艺技术，并以严格的质量管理生产全世界最领先性能与稳定性的DRAM产品。
主要产品包括，用于个人电脑、笔记本电脑的PC-DRAM、用于数据中心大容量服务器的服务器DRAM、 以功耗低适用于手机等移动设备的移动DRAM、能迅速处理大量数据而被用于图像数据处理的图像DRAM、各种数字设备所需的消费级DRAM。
此外，还提供符合客户接口要求的各种产品组合。
SK海力士通过突破性技术研发保持行业顶尖的技术优势，并以开发满足客户多样化需求的产品，引领全球DRAM市场。
尤其，持续开发比传统产品功耗更低而容量更高、处理速度更快的“大容量、高性能、低功耗”的高端产品。
NAND Flash
SK海力士在2018年推出全球首款拥有CTF和PUC架构的“96层512Gb TLC（Triple Level Cell）4D NAND闪存”，确保了技术竞争力。此后，又通过量产“全球首款128层4D NAND”和成功研发“176层4D NAND”等，持续保持闪存领域的技术优势。为在第四次工业革命时代更加稳定地运营庞大数据，SK海力士将持续提供最佳解决方案。
CMOS Image Sensor
SK海力士以在存储半导体领域积累的技术竞争力为基础，成功进军CIS事业领域。SK海力士的CIS目前作为黑珍珠（Black Pearl）产品阵容的头牌产品，被广泛应用于智能手机的摄像头，还将通过持续技术开发，把产品用途扩大到生物、安全和自动驾驶汽车等多种领域。
记录了SK海力士从1983年至今坚守信念，不断发展的历程
现在 ~ 2018
围绕尖端技术，梦想更美好的世界
2023
11月世界最快‘LPDDR5T’移动DRAM首次商业化
8月开发出全球最高规格“HBM3E”
量产全球最大容量“LPDDR5X DRAM”
公开全球最高层“321层NAND”样品
6月全球最高层“238层4D NAND”进入量产
4月开发出全球首款12层堆叠HBM3
1月开发全球最快移动DRAM，LPDDR5T
2022
9月决定投资M15X新工厂
8月完成对Key Foundry的收购
开发出全球最高层“238层NAND”内存
6月开始量产HBM3 DRAM
3月郭鲁正社长担任新的独立代表理事
加入SK集团10周年
2月开发新一代智能存储半导体PIM
1月SK旗下三子公司成立ICT联盟
2021
12月收购英特尔NAND内存业务已完成第一阶段交易
10月开发出全球首款HBM3 DRAM
7月利用EUV对10纳米级第四代DRAM全面量产
5月公布2020年社会价值（SV）成果
3月宣布开始量产业界最高容量的LPDDR5移动端DRAM
2月宣布M16新厂竣工
1月宣布 社会价值2030 :社会价值长期远景
2020
12月开发业界最高层 176层 4D NAND
11月推出全球首款DDR5 DRAM
收购英特尔NAND闪存业务
9月成立AI专业公司'高斯实验室公(Gauss Labs Inc.)'
7月宣布开始量产超高速DRAM ‘HBM2E’
4月荣获2019 CDP选定的‘水管理’大奖
2019
10月启动“Global Newsroom(全球新闻中心)” 以加强沟通
第三代10纳米（1Znm）DDR4 DRAM 开发
8月开发世界最快的高带宽存储器，HBM2E
6月全球首次量产128层4D NAND闪存
5月96段 4D 基础NAND 1Tb QLC样品出货
4月中国无锡扩张（C2F）竣工
3月1兆2200亿韩币规模<半导体相生集群>支援方案确立
新一代数据中心用标准ZNZ SSD行业首次饰演
2月半导体集群SPC，向龙仁市政府提交投资意向书
2018
12月利川总部举行M16奠基仪式
新任代表董事李锡熙选任社长
11月第二代10纳米级（1Y）16Gb DDR5开发
第二代10纳米级（1Y）DDR4 DRAM 开发
世界首创基于CTF 96段4D NAND 开发
10月引进以技术为中心的新口号‘We Do Technology’
清州 M15竣工仪式开展
7月在京畿道利川宣布新半导体工厂建设
6月通过韩美日联合国际财团，完成收购东芝存储器公司的程序。
5月完成Happy More ‘子公司残疾人标准工作场所’
3月引入外部董事制度和在董事会内设立持续管理委员会
2月开发商业用的第四代（72层）3D NAND 4TB 串行高级技术附件(SATA)固态硬盘
开始第4代（72层）基于NAND的新一代PCIe eSSD客户认证
1989
11月竣工 FAB III
9月开发4Mb的DRAM
8月成功开发256K Fast静态随机存取存储器
4月开始共同开发16Mb动态随机存取存储器
1月跻身全球半导体市场占有率前20
1988
11月在欧洲当地设立公司（HEE）
6月成功开发256K Slow静态随机存取存储器
1月开发1Mb的DRAM
1987
10月开始出口256Kb动态随机存取存储器
8月与美国TI公司签订256Kb动态随机存取存储器代工供应合同
7月与美国MOS ELECTRONIC公司达成256Kb静态随机存取存储器技术合作
6月举行第一次员工文化展览会“Ami Carnical”
4月设立半导体研究院
1986
10月FAB 1B-LINE完工
6月举行第一次员工文化展览会“Ami Carnical”
4月设立半导体研究院
1月设立软件业务本部
1985
12月16Kb静态随机存取存储器开始出货
10月开始批量生产256K的DRAM
1984
12月韩国国内最先成功试产16Kb静态随机存取存储器
9月完成FAB II-A
1983
10月利川工厂开工
3月设立美国当地法人公司HEA
2月创立现代电子株式会社
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