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WINBOND代理商,华邦中国总代理,WINBOND一级代理商
华邦代理商作为WINBOND半导体中国总代理,为推广华邦全系列存储芯片做出来卓越的贡献。
华邦电子,全称台湾华邦电子股份有限公司(Winbond Electronics Corporation),是一家在全球范围内享有盛誉的半导体公司。成立于1987年9月,华邦电子专注于内存集成电路的研发、生产和销售,并于1995年在台湾证券交易所正式挂牌上市。公司总部位于台湾台中市中部科学园区,拥有一座高度智能化和自动化的12英寸晶圆厂。
华邦电子的核心产品涵盖了编码型闪存(Code Storage Flash Memory)、利基型内存(Specialty DRAM)及行动内存(Mobile DRAM),并在技术创新和产品研发方面持续投入,致力于为客户提供全方位的利基型内存解决方案服务。作为台湾唯一同时拥有DRAM和Flash自有开发技术的厂商,华邦电子在半导体领域具有显著的竞争优势。
华邦电子不仅在产品设计上不断创新,还在节能减排方面做出了显著努力。公司采用创新技术,推出了多种低功耗的存储产品和封装组合,如超低功耗Green Power产品——GP-Boost DRAM,以及更小封装形式的100BGA LPDDR4/4X等。此外,华邦还推出了具有超低功耗特性的HYPERRAM系列,通过特有的混合睡眠模式进一步降低功耗。
在环保和可持续发展方面,华邦电子也走在行业前列。公司早在2006年就获得了ISO 14064 GHG 温室气体排放认证,并在近两年接连获得ISO 14067 “碳足迹”认证和ISO 14046 “水足迹”认证。2022年,华邦电子更是通过了ISO 50001 能源管控认证,体现了其在环保和节能方面的坚定承诺和实际行动。
华邦电子的市场布局同样值得关注。面对全球存储市场的波动,华邦通过专注于利基型产品和稳健的汽车及工业市场布局,有效平衡了市场风险。公司的汽车电子领域市占率持续提高,特别是在新能源汽车市场,华邦的芯片产品因其低功耗设计和高安全性而受到青睐。
总体来说,华邦电子是一家在技术创新、节能减排、环保认证和市场布局方面均表现出色的半导体公司,其产品和服务在全球范围内得到了广泛认可和应用。
WINBOND代理商的闪存(Code Storage Flash Memory)聚焦于中低容量产品,提供规格完整的串口式闪存(Serial Flash)和并行式闪存(Parallel Flash)产品,满足小尺寸封装规格,具有脚数低、体积小、成本低的特性;亦提供串口式 (SPI)NAND型及单层式(SLC)NAND型闪存以满足客户更多的编码储存需求。华邦半导体编码型闪存产品在计算机周边市场拥有相当的市占率,并且积极拓展应用于行动装置、消费电子,以及多样性之车用电子、物联网和穿戴装置等应用领域。此外,华邦半导体推出业界首创TrustME Secure Flash Memory,该产品通过国际安全组织Common Criteria EAL5+认证,适用于提高系统安全之应用范畴。华邦半导体以所擅长的高性能和低功耗内存核心设计技术,结合自有十二吋晶圆厂之生产优势,推出包含利基型动态随机存取内存(Specialty DRAM)和移动随机存取内存(MobileDRAM)之全系列自有产品,专注于品牌客户及以质量需求导向的产品应用,除了在手持装置应用、消费电子及计算机周边市场都能见到Winbond公司的产品外,更布局于良品裸晶圆、车用、工业用电子等高门坎、高质量要求的应用。
为了使服务的触角延伸更广阔,Winbond公司除了在美国、日本、中国大陆、香港、以色列等地均设有据点,更积极在各国开发WINBOND代理商,以组织健全的专业营销团队,就近服务客户,扩大产品销售的深度和广度。在质量方面,透过严密的生产流程控制与品管作业,强化在良率分析、供应炼管理与客户满意度之成效,长期建立了优良的口碑,并获得ISO 9001、TS 16949、QC080000、ISO 14001、OHSAS18001等国际质量认证。华邦半导体将持续以客户服务为导向,并集中资源于具竞争力的市场,同时运用先进的半导体设计及生产技术,结合员工的创意及智慧,落实「担当、创新、群效」工作文化的核心价值观,并以「执行力、创新、热情」为执行精神,落实于各项经营活动中,共同达成公司目标,努力朝向世界一流的产品方案供货商目标迈进。
WINBOND代理商认为每一个阶段的研发与制造过程对最终产品的品质与可靠性,都会产生必然影响,因此从一开始就专注于将品质与可靠性建构成在产品内。华邦半导体对品质的承诺是我们永续成功的基础,因此每一位华邦半导体员工都将参与品质与可靠性的保证行动视为工作本分。每一个部门与个人都对“零缺点"作业,负其责任。华邦半导体承诺生产的Winbond芯片具有高超的品质和可靠性。对生产过程的每个步骤都高标准与严厉要求,经过不断的研究探索和制程的提高,华邦半导体致力于建立且维持高水平的品质和可靠性。
华邦代理商专注于超大型集成电路的高科技领域,从事集成电路的设计、生产、销售和系统发展。目前产品种类达4000多种,为台湾最大的自有品牌集成电路产品供应商。华邦每年投入一成以上的营业额用于产品研发,在美国硅谷成立了数个产品研发和技术开发单位,专职产品开发人员达四百余人。在生产制造方面,公司拥有三座营运中的硅片厂,工艺已进入0.18微米。华邦在美国、香港等地设有子公司,在中国大陆主要城市亦建立联络办事处,并于亚洲、欧洲、美洲等地设有行销据点。所生产的产品种类主要有:视频通讯IC、存储器IC、单片机 IC、多媒体IC、个人计算机IC、外设IC、通讯IC、消费类及语音IC等。
WINBOND一级代理商是全球领先的半导体存储解决方案提供商,其主要产品线覆盖了多个领域,包括利基型动态随机存取内存(DRAM)、行动内存、编码型闪存以及TrustME®安全闪存等。以下是华邦电子的一些主要产品及其特点:
1. TrustME® 安全闪存
TrustME® 是华邦电子的一款安全闪存产品,旨在为客户提供高安全性的内存解决方案。这款产品通过内置的硬件级安全功能,如物理攻击防护和数据加密,保护用户的数据免受非法访问和篡改。TrustME® W77Q安全闪存已通过SESIP 2级物理攻击防护认证,展示了华邦电子在安全存储领域的专业能力。
2. Flash 产品线
华邦电子的Flash产品线包括编码型闪存和利基型NOR Flash等。这些产品广泛应用于各种终端设备中,提供可靠的数据存储功能。华邦电子的1.2V SPI NOR Flash产品相较于传统的1.8V产品,能够显著降低运行功耗,提高能效。
3. DRAM 产品线
华邦电子的DRAM产品线涵盖了利基型和行动内存,适用于各种高性能计算和移动设备。例如,100BGA LPDDR4/4X产品不仅尺寸小巧,而且具有超低功耗特性,适合物联网应用和需要紧凑设计的产品。
4. HYPERRAM™ 产品线
HYPERRAM™ 是华邦电子推出的一系列超低功耗、设计简洁且引脚数低的内存产品,专为电池供电和空间受限的物联网应用设计。HYPERRAM 3.0作为该系列的第三代产品,提供了高达800MBps的数据传输速率,是传统产品的两倍,同时保持了低功耗的特性。
5. 绿色产品设计
华邦电子致力于通过绿色产品设计推动全球可持续发展。公司在产品设计阶段就考虑环保因素,如采用新型低温锡膏焊接工艺(LTS)减少生产过程中的二氧化碳排放,以及开发更小尺寸的封装技术,如100BGA LPDDR4/4X,以实现节能减碳。
华邦电子的产品广泛应用于通讯、消费性电子、工业用以及车用电子、计算机周边等领域。公司通过持续的技术创新和对市场需求的深入理解,不断推出满足客户和行业发展需求的高质量内存产品。华邦电子的总部位于中国台湾中部科学园区,并在全球多个国家和地区设有子公司及服务据点,为客户提供本地化的支持和服务。
华邦代理商里程碑
2023/09 CUBE架构之超高带宽与低功耗内存产品开发完成并送样与客户主芯片搭配先进封装,以进军高速成长的AI边缘运算市场
2023/08 第一颗自主开发之20奈米DRAM产品进入量产
2023/07 自主开发45奈米NOR Flash制程技术验证成功
2023/03 获选2023年度全球百大创新机构
2022/12 华邦高雄厂获得质量系统及环安卫国际标准验证,第一批以自主开发之25S奈米DRAM制程生产之产品,于9月产出第一颗4G DDR3产品,且于12月通过验证并进入量产。
2022/11 华邦荣获2022年TCSA (Taiwan Corporate Sustainability Awards) 综合绩效类「台湾百大永续典范台湾企业奖」、企业永续报告类「电子信息制造业白金奖」及「永续单项绩效 – 人才发展领袖奖」
2021/12 高雄厂取得建筑物使用执照及工厂登记
2021/11 华邦电子获得2021年TCSA (Taiwan Corporate Sustainability Awards) 之「企业永续综合绩效奖 - 台湾TOP50永续企业奖」、「企业永续报告奖 - 白金奖」、「永续单项绩效-人才发展领袖奖」及「永续单项绩效-创新成长领袖奖」等四项大奖
2021/11 HyperRAM产品获颁 2021年 「EE Awards Asia-亚洲金选奖」「年度最佳Memory IC」奖项
2021/07 TrustME®W77Q获颁2021年「中部科学园区优良厂商创新产品奖」
华邦中国总代理商主要产品线:
移动随机存取内存
虚拟静态随机存取内存
HYPERRAM™
低功耗单存取同步动态随机存取内存
低功耗双存取同步动态随机存取内存
低功耗双存取同步动态随机存取内存-第二代
低功耗雙存取同步动态随机存取内存-第三代
低功耗雙存取同步动态随机存取内存-第四代(4/4X)
利基型动态随机存取内存
同步动态随机存取内存
双倍数据传输速率同步动态随机存取内存
双倍数据传输速率同步动态随机存取内存-第二代
双倍数据传输速率同步动态随机存取内存-第三代
双倍数据传输速率同步动态随机存取内存-第四代
闪存
Serial NOR Flash
1.2V Serial NOR Flash
QspiNAND Flash
OctalNAND Flash
SLC NAND Flash
NAND Based MCP
SpiStack® Flash
安全认证闪存
良品裸晶圆
TrustME®
W77Q 安全闪存
(CC EAL 2+)
W75F 安全闪存
(CC EAL 5+)
华邦总代理主要产品线:
Serial NOR Flash
支援SPI、Dual-SPI、Quad-SPI 与QPI的SpiFlash® 记忆体
华邦的W25X 与W25Q SpiFlash® Multi-I/O记忆体支援通用的SPI介面,容量从512Kb 到 512Mb,具有小容量分割的可擦除区块与业界最高的操作效能。
W25X系列支援Dual-SPI双线输出入模式,相当于将原本标准SPI的操作频率变为两倍。 W25Q系列是25X系列的进阶版,可支援Quad-I/O SPI四线输出入模式提供更高的效能,操作频率104MHz同等于416MHz(50M-Byte/S传输率),相当于是一般单线SPI操作的4倍效能。 W25Q系列不但效能超过Parallel flash,还提供更少脚位的封装。
更快的传输率代表控制器可以直接透过SPI介面与闪存做晶片内执行(XIP, eXecute In Place),或是加快复制代码到RAM使开机速度加快。除此之外,部份SpiFlash®支援QPI (Quad Peripheral Interface)让指令集可更快的传输,加快XIP的传输效率。另外更小的封装, 更利于对设计空间有限的手持和行动装置应用。
Winbond SDRAM/DDR 系列产品特点:
•高速度— 1600Mbps的DDR3能迎合需要高速效的数码电视、STB、蓝光播放机和网络设备;
•低功耗 —DDR3(1.5V) 的电压比DDR2(1.8V)低,能减低系统的耗电量;
•工作温度范围宽 - 最新的Q版本工作温度在-40 to +105;
•高品质 - 由于是国内生产与加工,无形中降低了很多成本。广泛应用于数码类以及消费类电子产品中;
•产线长 - Winbond已拥有全系列的DRAM产品。其中以TSOP-II和FBGA封装的128Mb~256Mb SDRAM、128Mb~512Mb DDR。
Temperature Range
-40°C~85°C
-40°C~105°C
-40°C~85°C
-40°C~105°C
-40°C~125°C
Part # Example
W25Q64JVSSIQ
W25Q64JVSSJQ
W25Q64JVSSBQ
W25Q64JVSSAQ
W25Q64JVSSSQ
AEC-Q100 Compliant
No
No
Yes
Yes
Yes
Change Control (PPAP)
No
No
Optional
Optional
Optional
Industrial
Industrial Plus
Automotive Grade 3
Automotive Grade 2
Automotive Grade 1
Winbond SDRAM系列规格参数 | ||||||
Part No. | Density | Organization | Speed Grade | Max Freq | Voltage | Package |
W9816G6IB | 16M | 1Mx16 | -6 | 166 MHz | 3.3V±0.3V | Packaged in VFBGA 60 balls pitch=0.65mm, using Lead free materials with RoHS compliant |
-7 | 143 MHz | 2.7V~3.6V | ||||
W9816G6IH | 16M | 1Mx16 | -5 | 143 MHz | 3.3V±0.3V | Package in 50-pin, 400 mil TSOP II, using Lead free materials with RoHS compliant |
200 MHz | ||||||
-6/-6I/-6A | 166 MHz | 3.3V±0.3V | ||||
-7/-7I | 143 MHz | 2.7V~3.6V | ||||
* Status: P= Mass Production, S=Samples, UD=Under Development, UD (Time)= Under Development(Ready Time), EOL=End of life. | ||||||
Part No. | Density | Organization | Speed Grade | Max Freq | Voltage | Package |
W9864G2IH | 64M | 2Mx32 | -5 | 200 MHz | 3.3V±0.3V | Packaged in TSOP II 86-pin, using Lead free materials with RoHS compliant |
-6/-6I/-6A | 166 MHz | |||||
-7 | 143 MHz | 2.7V~3.6V | ||||
W9864G6IH | 64M | 4Mx16 | -5 | 200 MHz | 3.3V±0.3V | Packaged in TSOP II 54-pin, 400 mil using Lead free materials with RoHS compliant |
-6/-6I/-6A | 166 MHz | |||||
-7/-7S | 143 MHz | 2.7V~3.6V | ||||
W9864G6JH | 64M | 4Mx16 | -5 | 200 MHz | 3.3V±0.3V | Packaged in TSOP II 54-pin, 400 mil using Lead free materials with RoHS compliant |
-6/-6I | 166 MHz | |||||
-7/-7S | 143 MHz | 2.7V~3.6V | ||||
* Status: P= Mass Production, S=Samples, UD=Under Development, UD (Time)= Under Development(Ready Time), EOL=End of life, N= None for new design. | ||||||
Part No. | Density | Organization | Speed Grade | Max Freq | Voltage | Package |
W9812G2IH | 128M | 4Mx32 | -6C | 166 MHz | 3.3V±0.3V | Packaged in TSOP II 86-pin, using Lead free materials with RoHS compliant |
-6/-6I/-6A | 2.7V~3.6V | |||||
-75 | 133 MHz | |||||
W9812G2IB | 128M | 4Mx32 | -6/-6I/-6A | 166 MHz | 2.7V~3.6V | Packaged in TFBGA 90 Ball(8x13mm2 ), using Lead free materials with RoHS compliant |
-75 | 133 MHz | |||||
W9812G6IH | 128M | 8Mx16 | -5 | 200 MHz | 3.3V±0.3V | TSOP II 54-pin, 400 mil using Lead free materials with RoHS compliant |
-6/-6C/-6I/-6A | 166 MHz | |||||
-75 | 133 MHz | |||||
W9812G6JH | 128M | 8Mx16 | -5 | 200 MHz | 3.3V±0.3V | TSOP II 54-pin, 400 mil using Lead free with RoHS compliant |
-6/-6I | 166 MHz | |||||
-75 | 133 MHz | |||||
* Status: P= Mass Production, S=Samples, UD=Under Development, UD (Time)= Under Development(Ready Time), EOL=End of life. | ||||||
Part No. | Density | Organization | Speed Grade | Max Freq | Voltage | Package |
W9825G2DB | 256M | 8Mx32 | -6 | 166 MHz | 3.3V±0.3V | TFBGA 90 ball using Pb free with RoHS compliant |
-6I | 2.7V~3.6V | |||||
-75/75I | 133 MHz | |||||
W9825G6EH | 256M | 16Mx16 | -5 | 200MHz | 3.3V±0.3V | Packaged in TSOP II 54-pin, 400 mil - 0.80, using Lead free materials with RoHS compliant |
-6/-6I/-6A | 166 MHz | |||||
-6 | 133 MHz | |||||
-75/75I/75A | ||||||
W9825G6JH | 256M | 16Mx16 | -5 | 200MHz | 3.3V±0.3V | Packaged in TSOP II 54-pin, 400 mil - 0.80, using Lead free materials with RoHS compliant |
-6/-6I | 166 MHz | |||||
-6 | 133 MHz | |||||
-75 | ||||||
* Status: P= Mass Production, S=Samples, UD=Under Development, UD (Time)= Under Development(Ready Time), EOL=End of life. | ||||||
Winbond DDR/DDR1系列规格参数 | ||||||
Part No. | Density | Organization | Speed Grade | |||
W9464G6IH | 64Mb DDR | 4Mx16 | 4 Banks | -4 | 250 MHz | CL3/CL4 |
-5/-5I | 200 MHz | CL3 | ||||
-6/-6I | 166 MHz | CL2.5 | ||||
W9464G6JH | 64Mb DDR | 4Mx16 | 4 Banks | -4 | 250 MHz | CL3/CL4 |
-5 | 200 MHz | CL3 | ||||
* Status: P= Mass Production, S=Samples, UD=Under Development, UD (Time)= Under Development(Ready Time), EOL=End of life, N=Not recommended for new design. | ||||||
Part No. | Density | Organization | Speed Grade | |||
W9412G6IH | 128Mb DDR | 8Mx16 | 4 Banks | -4 | 250 MHz | CL3/CL4 |
-5/-5I | 200 MHz | CL3 | ||||
-6/-6I | 166 MHz | CL2.5 | ||||
W9412G6JH | 128Mb DDR | 8Mx16 | 4 Banks | -4 | 250 MHz | CL3/CL4 |
-5 | 200 MHz | CL3 | ||||
W9412G2IB | 128Mb DDR | 4Mx32 | 4 Banks | -4 | 250 MHz | CL3/CL4 |
-5/-5I | 200 MHz | CL3 | ||||
-6/-6I | 166 MHz | CL2.5 | ||||
* Status: P= Mass Production, S=Samples, UD=Under Development, UD (Time)= Under Development(Ready Time), EOL=End of life, N=Not recommended for new design. | ||||||
Part No. | Density | Organization | Speed Grade | |||
W9712G6JB | 256Mb DDR | 8Mx16 | 4 Banks | -18 | DDR2-1066 | 2007/7/7 |
-25/ 25I/25A | DDR2-800 | 5-5-5/6-6-6 | ||||
-3 | DDR2-667 | 2005/5/5 | ||||
W9712G8JB | 256Mb DDR | 16Mx8 | 4 Banks | -18 | DDR2-1066 | 2007/7/7 |
-25 | DDR2-800 | 5-5-5/6-6-6 | ||||
-3 | DDR2-667 | 2005/5/5 | ||||
* Status: P= Mass Production, S=Samples, UD=Under Development, UD (Time)= Under Development(Ready Time), EOL=End of life. | ||||||
Part No. | Density | Organization | Speed Grade | |||
W9712G6JB | 128Mb DDR2 | 8Mx16 | 4 Banks | -18 | DDR2-1066 | 2007/7/7 |
-25/ 25I/25A | DDR2-800 | 5-5-5/6-6-6 | ||||
-3 | DDR2-667 | 2005/5/5 | ||||
W9712G8JB | 128Mb DDR2 | 16Mx8 | 4 Banks | -18 | DDR2-1066 | 2007/7/7 |
-25 | DDR2-800 | 5-5-5/6-6-6 | ||||
-3 | DDR2-667 | 2005/5/5 | ||||
* Status: P= Mass Production, S=Samples, UD=Under Development, UD (Time)= Under Development(Ready Time), EOL=End of life. | ||||||
Part No. | Density | Organization | Speed Grade | CL-tRCD-tRP? | ||
W9725G6JB | 256Mb DDR2 | 16Mx16 | 4 Banks | -18 | DDR2-1066 | 2007/7/7 |
-25/ 25I/25A | DDR2-800 | 5-5-5/6-6-6 | ||||
-3 | DDR2-667 | 2005/5/5 | ||||
W9725G8JB | 256Mb DDR2 | 32Mx8 | 4 Banks | -18 | DDR2-1066 | 2007/7/7 |
-25/ 25I | DDR2-800 | 5-5-5/6-6-6 | ||||
-3 | DDR2-667 | 2005/5/5 | ||||
* Status: P= Mass Production, S=Samples, UD=Under Development, UD (Time)= Under Development(Ready Time), EOL=End of life. | ||||||
Part No. | Density | Organization | Speed Grade | CL-tRCD-tRP? | ||
W9751G6JB | 512Mb DDR2 | 32Mx16 | 4 Banks | -18 | DDR2-1066 | 2007/7/7 |
-25/25I | DDR2-800 | 5-5-5/6-6-6 | ||||
-3 | DDR2-667 | 2005/5/5 | ||||
W9751G8JB | 512Mb DDR2 | 64Mx8 | 4 Banks | -18 | DDR2-1066 | 2007/7/7 |
-25/25I | DDR2-800 | 5-5-5/6-6-6 | ||||
-3 | DDR2-667 | 2005/5/5 | ||||
* Status: P= Mass Production, S=Samples, UD=Under Development, UD (Time)= Under Development(Ready Time), EOL=End of life. | ||||||
Part No. | Density | Organization | Speed Grade | CL-tRCD-tRP? | ||
W971GG6JB | 1G DDR2 | 64Mx16 | 8 Banks | -18 | DDR2-1066 | 2006/6/6 |
-25/25I | DDR2-800 | 2005/5/5 | ||||
-3 | DDR2-667 | 2005/5/5 | ||||
W971GG8JB | 1G DDR2 | 128Mx8 | 8 Banks | -18 | DDR2-1066 | 2006/6/6 |
-25/25I | DDR2-800 | 2005/5/5 | ||||
-3 | DDR2-667 | 2005/5/5 | ||||
* Status: P= Mass Production, S=Samples, UD=Under Development, UD (Time)= Under Development(Ready Time), EOL=End of life. | ||||||
Part No. | Density | Organization | Speed Grade | CL-tRCD-tRP? | ||
W972GG6JB | 2G DDR2 | 128Mx16 | 8 Banks | -18 | DDR2-1066 | 2007/7/7 |
-25/25I | DDR2-800 | 5-5-5/6-6-6 | ||||
-3 | DDR2-667 | 2005/5/5 | ||||
W972GG8JB | 2G DDR2 | 256Mx8 | 8 Banks | -18 | DDR2-1066 | 2007/7/7 |
-25/25I | DDR2-800 | 5-5-5/6-6-6 | ||||
-3 | DDR2-667 | 2005/5/5 | ||||
* Status: P= Mass Production, S=Samples, UD=Under Development, UD (Time)= Under Development(Ready Time), EOL=End of life. |