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IPW60R037P7,英飞凌,MOSFET 600V 76A,现货,价格,中文参数,规格书

IPW60R037P7,英飞凌,MOSFET 600V 76A,现货,价格,中文参数,规格书

IPW60R037P7是Infineon（英飞凌）600 V CoolMOS P7 系列 N 沟道功率 MOSFET，产品采用TO247-3直插封装，采用超结（SJ）技术，主打“高能效＋易用性”平衡方案，适用于硬/谐振开关拓扑。以下信息全部来自2025年最新渠道，可直接用于选型或备料。其中IPW60R037P7XKSA1是IPW60R037P7的完整型号。
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IPW60R037P7是Infineon（英飞凌）600 V CoolMOS™ P7 系列 N 沟道功率 MOSFET，产品采用TO247-3直插封装，采用超结（SJ）技术，主打“高能效＋易用性”平衡方案，适用于硬/谐振开关拓扑。以下信息全部来自2025年最新渠道，可直接用于选型或备料。其中IPW60R037P7XKSA1是IPW60R037P7的完整型号。



IPW60R037P7

优化的超结 MOSFET，兼具高能效和易用性
 数据手册
 封装
 评估板



关键参数
VDS：600 V
RDS(on)：37 mΩ（@VGS=10 V，最大值）
ID：76 A（Tc=25 °C 连续），280 A 脉冲
QG：121 nC（典型），Qgd：37 nC
Ptot：255 W，Tj：-55 … +150 °C
RthJC：0.49 K/W，RthJA：62 K/W
VGS(th)：3 V…4 V，集成栅极电阻 RG，ESD ≥ 2 kV (HBM-2)

推荐的
OPN
IPW60R037P7XKSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3 
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes


功能亮点
第 7 代超结技术，FOM RDS(on)×EOSS / RDS(on)×QG 业界领先，硬开关损耗低
坚固体二极管，可承受 LLC 等拓扑的硬换流
内置 RG 抑制振荡，提升驱动兼容性
工业级温度范围，无铅无卤，RoHS 符合

封装与最小包装
封装：TO-247（3 引脚），Infineon 内部代号 PG-TO247-3
包装形式：Tube 管装，240 颗/管
最小订货量：240 颗（1 管）起，倍数 240
参考价格（2025-Q4 现货）
1 k 颗批量：≈ €3.8（约 ¥29）
现货零售：¥11.9～20.8/颗（视库存批次）

典型应用
电视/照明电源、工业 SMPS、服务器 PSU
电信整流器、48 V 中间母线转换器（IBC）
电动汽车充电桩、储能变流器、DIN 导轨电源
PFC、LLC、相移全桥等硬/谐振开关拓扑

应用
洗涤和烘干 
电动汽车充电 
DIN 导轨电源解决方案 
48 V 配电 
电信基础设施 



同系列可互换或周边器件

IPW60R060P7（60 mΩ）、IPW60R037CSFD（带快恢复体二极管）、IPW65R041CFD、IPW65R045C7、IPW60R070CFD7 等，均保持 TO-247 封装，可根据损耗或成本需求向下或向上调整 RDS(on)。


Part Number
448-IPW60R037P7XKSA1-ND
Manufacturer
Infineon Technologies
Manufacturer Product Number
IPW60R037P7XKSA1
Description
MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
Manufacturer Standard Lead Time
52 Weeks
Customer Reference
Detailed Description
N-Channel 650 V 76A (Tc) 255W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Datasheet
 Datasheet
EDA/CAD Models
IPW60R037P7XKSA1 Models
Product Attributes
Type
Description
Select All
Category
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ P7
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
76A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
37mOhm @ 29.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1.48mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
121 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5243 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
255W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
IPW60R037




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