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WML26N65C4,WAYON场效应管,维安MOSFET,原装现货,价格,中文参数,规格书
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WML26N65C4现货实拍图

WML26N65C4,WAYON场效应管,维安MOSFET,原装现货,价格,中文参数,规格书

WML26N65C4是由维安（WAYON）公司生产的一款电压650V，电流18A的N沟道超结MOSFET。
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WML26N65C4是由维安（WAYON）公司生产的一款电压650V，电流18A的N沟道超结MOSFET。以下是其详细信息：

产品规格书DATASHEET：

WML26N65C4规格书


参数
电压：最大漏源电压为 650V，栅源电压为 ±30V，门极阈值电压典型值为 3V，最大值为 4V。
电流：最大持续漏电流为 18A，最大脉冲漏电流可达更高值。
电阻：最大漏源导通电阻在时最大值为 0.19Ω。

其他：最大功率耗散为 31W，总栅极电荷为 22.1nC，上升时间为37ns，结温最大值为150°C，漏源电容为48pF。


Wayon Super Junction MOSFET 650V
1.Part No.：WML26N65C4
2.Description：N-Channel SJ-MOS C4
3.Package：TO-220F
4.VDS (V)：650
5.RDS(on) (Ω) @VGS=10V(max.)：0.19
6.ID (A) @TA=25℃：18
7.PD (W) @TA=25℃：31
8.VGS (V)：30
9.VGS(th) (V) (Typ.)：3


功能
高速开关功能：能够在高频电路中快速地导通和截止，实现对电流的控制，适用于各种需要高频开关的电源转换和逆变器等电路。
低导通电阻特性：导通时电阻较低，可减少在导通状态下的功耗，提高电路的效率，降低发热，特别适合于大电流、高功率的应用场景。
高耐压能力：较高的漏源电压额定值使其能够承受高电压，可在高压电路中稳定工作，确保电路的安全性和可靠性。

产品封装和最小包装数量
封装：采用TO-220F塑料封装，这种封装具有良好的散热性能和机械稳定性，便于安装和在电路板上进行焊接。

最小包装数量：产品为50PCS/TUBE,1000PCS/BOX包装。一箱为5件，5000PCS.

价格
价格会因市场供需关系、采购数量、供应商等因素而有所波动。

应用
电源转换器：如开关电源、DC-DC 转换器等，可作为开关元件有效地控制电能的转换，在高频操作下能够实现高效率和低热损耗。
逆变器：在太阳能逆变系统、不间断电源（UPS）等逆变器电路中，将直流电转换为交流电，其高压承受能力和低导通电阻特性可确保转换效率和稳定性。
电动汽车驱动：用于电动汽车的电机驱动系统，作为电机控制的开关器件，实现高效的电源控制，满足电动汽车对高功率、高效率和高可靠性的要求。
LED 驱动电路：可以在 LED 驱动电路中使用，为 LED 提供稳定的电流驱动，兼具高效能与成本效益，有助于提高 LED 照明系统的性能和寿命。

相关产品
WML26N65C2：与 WML26N65C4同属维安公司的超结 MOSFET 产品系列，电压等级相同，但在导通电阻、电流等参数上可能有所差异，适用于对导通电阻要求更低的应用场景。
WMN26N65C4：同为维安公司的 N 沟道MOSFET，在一些参数上与 WML26N65C4相近，但在最大漏电流、最大功率耗散等方面存在不同，可根据具体电路需求进行选择。

IRFP460：也是一款 N 沟道功率 MOSFET，具有较高的电压和电流承受能力，常用于电源、电机控制等领域，与 WML26N65C4在部分应用场景上可相互替代，但在具体参数和性能上有一定区别。


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